GaN-based low-power JLDG-MOSFETs: Effects of doping and gate work function

Author:

Hasan Nayeema,Islam Md Rafiqul,Hasan Md Tanvir

Publisher

Elsevier BV

Reference30 articles.

1. The International Roadmap for Devices and Systems (IRDS);Association,2022

2. Nanowire transistors without junctions;Colinge;Nat. Nanotechnol.,2010

3. Low sub-threshold swing in junction-less multi-gate transistors;Lee;Appl. Phys. Lett.,2010

4. A quasi-two-dimensional threshold voltage model for short channel junctionless double-gate mosfets;Chiang;IEEE Trans. Electron. Dev.,2012

5. Junctionless Field-Effect Transistors;Sahay,2019

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