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High power aluminium-free InGaAsP/GaAs pumping diode lasers

  • Published:1995-12 Issue:1-3 Volume:35 Page:34-41
  • ISSN:0921-5107
  • Container-title:Materials Science and Engineering: B
  • language:en
  • Short-container-title:Materials Science and Engineering: B

Author:

Razeghi M.,Eliashevich I.,Diaz J.,Yi H.-J.,Kim S.,Erdtmann M.,Wu D.,Wang L.J.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference30 articles.

1. Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and LEDs;Fukuda,1991

2. MOCVD Challenge;Razeghi,1989

3. High-power 0.8 mu m InGaAsP-GaAs SCH SQW lasers

4. Proc. IEEE/LEOS Conf.;Razeghi,1993

5. InGaP/InGaAsP/GaAs 0.808 /spl mu/m separate confinement laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
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