Study of microdefects and their distribution in dislocation-free Si-doped HB GaAs by X-ray diffuse scattering on triple-crystal diffractometer

Author:

Charniy L.A.,Morozov A.N.,Bublik V.T.,Scherbachev K.D.,Stepantsova I.V.,Kaganer V.M.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference45 articles.

1. Proc. Symp. on III–V Optoelectronics Epitaxy;Akai,1983

2. Electrical and electron microscope studies of the annealing of tellurium-doped gallium arsenide

3. Defecti Structuri v Poluprovodnikah;Morgulis,1973

4. The nature of defects inn+ gallium arsenide

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