Application of tie-line concept on the liquid phase epitaxial growth of GaInAsP on InP
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference18 articles.
1. Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattice-matched to (100)InP
2. Influence of LPE growth conditions on the physical properties of GaInAsP / InP epilayer
3. LPE growth of 1.5–1.6 μm In1−xGaxAs1−yPy crystals by a modified source-seed method
4. Nearly equilibrium growth of In1−x Gax Asy P1−y (0 ≤ y ≤ 1) Lattice-Matched to <100> InP
5. Near-equilibrium LPE growth of In1−xGaxAsyP1−y lattice matched to InP
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