Effects of N2 or Ar plasma exposure on GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors

Author:

Hsu C.H,Chen C.C,Luo B,Ren F,Pearton S.J,Abernathy C.R,Lee J.W,Mackenzie K.D,Sasserath J

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference16 articles.

1. Hafizi M, Stanchina WE. In: Jalali B, Pearton SJ, editors. InP HBTs: growth, processing and devices. Boston: Artech House; 1994 [chapter 5]

2. Development of HBT structure to minimize parasitic elements

3. Fabrication Techniques for GaAs Based HBTS and FETs

4. Pearton SJ. In: Jalali B, Pearton SJ, editors. InP HBTs: growth, processing and devices. Boston: Artech House; 1994 [chapter 2]

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