Reliability study of power RF LDMOS device under thermal stress

Author:

Belaïd M.A.,Ketata K.,Mourgues K.,Gares M.,Masmoudi M.,Marcon J.

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference19 articles.

1. Operating limits for power amplifiers at high junction temperatures;Radivojevic;Microelectron. Reliab.,2004

2. M.A. Belaïd, H. Maanane, K. Mourgues, M. Masmoudi, K. Ketata, J. Marcon, Characterization and modeling of power RF LDMOS transistor including self-heating effects. In: Proceedings of the IEEE/ICM Conference, 2004, pp. 262–265.

3. Characterization and modeling of SOI varactors at various temperatures;Kun-Ming;IEEE Trans. Electron. Dev.,2004

4. Comparative study of thermal cycling and thermal shocks tests on electronic components reliability;Moreau;Microelectron. Reliab.,2004

5. The IC-CAP Characterization and Modeling Handbook;Sischka,2002

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