GaN monolithic digital units on P-GaN platform

Author:

Pan MaolinORCID,Huang Hai,Zhao YiFei,Hu Xin,Yang Yannan,Qian Lewen,Wang Qiang,Zhang Penghao,Xu Saisheng,Xu Min

Publisher

Elsevier BV

Reference16 articles.

1. Short-channel Al0.5Ga0.5N/GaN MOSFETs with power density > 3W/mm at 18 GHz;Wu;Electron. Lett.,1997

2. High-power Microwave GaN/AlGaN HEMTs on Semi-insulating Silicon Carbide Substrates;Sheppar,1999

3. Design of high Efficiency and high frequency GaN DC/DC converter;Frolov,2020

4. Integrated circuit implementation for a GaN HFET driver circuit;Wang;IEEE Trans. Ind. Appl.,2010

5. Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage;Lanford;Electron. Lett.,2005

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