Analysis of Electrical Parameters of Ge/Si Heterojunction GeOI FinFETs

Author:

Das Rajashree,Baishya Srimanta

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference21 articles.

1. FinFET Design Considerations Based on 3-D Simulation and Analytical Modeling;Pei;IEEE Trans Electron Devices,2002

2. Planar Bulk MOSFETs Versus FinFETs: An Analog /RF Perspective;Subramanian;IEEE Trans Electron Devices,2006

3. FinFET-A Self-Aligned Double-Gate MOSFET Scalable to 20nm;Hisamoto;IEEE Trans Electron Devices,2000

4. B. Yu, L. Chang, S. Ahmed, H. Wang, S. Bell, C.-Y. Yang, C. Tabery, C. Ho, Q. Xiang, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu, M.-R. Lin, and D. Kyser. FinFET Scaling to 10nm Gate Length. IEDM 2002:251-4.

5. Modeling and Circuit Synthesis for Independently Controlled Double Gate FinFET Devices;Datta;IEEE Trans. Comput. -Aided Design Integr. Circuits Syst,2007

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