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A bipolar photodetector compatible with standard CMOS technology

  • Published:1991-08 Issue:8 Volume:34 Page:809-814
  • ISSN:0038-1101
  • Container-title:Solid-State Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

Vidal M.Puig,Bafleur M.,Buxo J.,Sarrabayrouse G.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Cited by 7 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Study of monolithic integrated solar blind GaN-based photodetectors;Materials Research Express;2018-02-01

2. Integrated Silicon Photodetectors;Silicon Optoelectronic Integrated Circuits;2018

3. Integrated Silicon Optoelectronics;Springer Series in Optical Sciences;2010

4. PNP pin phototransistor with modulation-doped base;Electronics Letters;2010

5. A bipolar PIN phototransistor with modulated base doping;Procedia Engineering;2010
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