Electrical characterisation of MNOS devices on p-type 6H-SiC

Author:

Berberich S,Godignon P,Millán J,Planson D,Hartnagel H.L,Senes A

Publisher

Elsevier BV

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Materials Chemistry,Mechanical Engineering,General Chemistry,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference10 articles.

1. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC and Si for power devices;Bhatnagar;IEEE Trans. Elec. Dev.,1993

2. High frequency CV measurements of SiC MOS capacitors;Berberich;Solid State Electron.,1998

3. Direct current characterization of depeltion-mode 6H-SiC MOSFETs from 294 to 723K;Casady;Solid State Electron.,1996

4. Metal–nitride semiconductor capacitors on 6H-SiC;Berberich;Mater. Sci. Forum,1998

5. J.J. Kopanski, Oxidation of SiC, in: Properties of SiC, IEE INSPEC, 1995. Editor: G.L. Harris, ISBN 0 85296 870 A.

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