Preparation of Hg1−xCdxTe (0.1≤×≤0.5) epitaxial layers by two-stage evaporation–condensation–diffusion method

Author:

Savitsky V.G,Storchun O.P

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Metals and Alloys,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference17 articles.

1. Diffusion a l'etat solide entre des material semiconducteure;Rodot;C.R. Acad. Sci.,1963

2. Preparation et controle de structures a largeuz de bande interdite variable;Bailly;C.R. Acad. Sci.,1963

3. G. Cohen-Solal, Croissance epitaxique par evaporation–diffusion en regime isoterme, Doct. Theses, Paris, 1967.

4. Croissance epitaxique de compases semiconducteurs par evaporation–diffusion en regime isotherme;Cohen-Solal;Phys. Appl. Rev.,1966

5. Y. Marfaing, G. Cohen-Solal, F. Bailly, Preparation et properties de structures a larqeur de bande interdite variable, Proc. 7th Int. Conf. Phys. Semicond. Paris, 1964, pp. 1245–1250.

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