Dependence of thermal annealing on the density distribution of interface states in Ti/n-GaAs(Te) Schottky diodes

Author:

Ayyıldız E.,Batı B.,Temirci C.,Türüt A.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Surfaces, Coatings and Films,Condensed Matter Physics,Surfaces and Interfaces,General Physics and Astronomy,General Chemistry

Reference30 articles.

1. G.Y. Robinson, in: C.W. Wilmsen (Ed.), Physics and Chemistry of III–V Compound Semiconductor Interfaces, Plenum, New York, 1985.

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3. L.J. Brilson, in: L.J. Brilson (Ed.), Contacts to Semiconductors, Noyes Publ., NJ, 1993.

4. Unified Mechanism for Schottky-Barrier Formation and III-V Oxide Interface States

5. Unified defect model and beyond

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