The effect of surface preparation and properties on AgGaAs (100) Schottky diodes
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Condensed Matter Physics
Reference12 articles.
1. Chemical etching and annealing induced GaAs(100) surface properties
2. Contact potential differences for III–V compound surfaces
3. Surface and contact properties of GaAs overlaid by silver
4. Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V
5. Fermi level pinning by interface states: A calculation of the height and the shape of the Schottky barrier
Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Schottky diode properties of Au, InGaP (111) and (110) chemically etched surfaces;Solid-State Electronics;1995-02
2. Effect of inside-spread surface states on Fermi level pinning;Surface Science;1990-11
3. Calculation of semiconductor band bending due to a superficial zone including electronic states: Application to Schottky diodes;Thin Solid Films;1990-10
4. Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé;Revue de Physique Appliquée;1989
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