High-Al-content heterostructures and devices
Author:
Funder
National Nuclear Security Administration
Sandia National Laboratories
U.S. Department of Energy
Publisher
Elsevier
Reference77 articles.
1. Al0.3Ga0.7N PN diode with breakdown voltage >1600 V;Allerman;Electron. Lett.,2016
2. Multi-channel Al-rich AlGaN HEMT heterostructures;Allerman,2020
3. Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures;Ambacher;J. Appl. Phys.,1999
4. Ultra-wide band gap AlGaN polarization-doped field effect transistor;Armstrong;Jpn. J. Appl. Phys.,2018
5. AlGaN polarization-doped field effect transistor with compositionally graded channel from Al0.6Ga0.4N to AlN;Armstrong;Appl. Phys. Lett.,2019
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