On the Survivability of a 28 - 32 GHz GaN Low Noise Amplifier
Author:
Affiliation:
1. Brandenburg University of Technology,Ulrich L. Rohde Chair of RF and Microwave Techniques,Germany
2. Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik,Ferdinand-Braun-Institut (FBH),Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10288583/10288635/10288728.pdf?arnumber=10288728
Reference10 articles.
1. DC Power-Optimized Ka-Band GaN-on-Si Low-Noise Amplifier With 1.5 dB Noise Figure
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3. A Full Ka-Band GaN-on-Si Low-Noise Amplifier
4. A 15 – 34 GHz Robust GaN based Low-Noise Amplifier with 0.8dB Minimum Noise Figure
5. Degradation of Ka-Band GaN LNA Under High-Input Power Stress: Experimental and Theoretical Insights
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