Spatio-Temporal Modeling for Flash Memory Channels Using Conditional Generative Nets
Author:
Affiliation:
1. University of California,Electrical and Computer Engineering Dept.,San Diego,CA,U.S.A,92093
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10136870/10136706/10137015.pdf?arnumber=10137015
Reference25 articles.
1. Characterizing the Reliability and Threshold Voltage Shifting of 3D Charge Trap NAND Flash
2. Error Generation for 3D NAND Flash Memory
3. Bad page detector for NAND flash memory;liu;6th Annual Non-Volatile Memories Workshop (NVMW),2020
4. Modeling of Threshold Voltage Distribution in 3D NAND Flash Memory
5. Noise modeling and capacity analysis for NAND flash memories
Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Efficient Constrained Codes That Enable Page Separation in Modern Flash Memories;IEEE Transactions on Communications;2023-12
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