A 4kW, 100V GaN on SiC HEMT Transistor for 1.3GHz Particle Accelerator Applications
Author:
Affiliation:
1. Integra Technologies Inc.,USA
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10290132/10289699/10290345.pdf?arnumber=10290345
Reference10 articles.
1. High-Power-Density AlGaN/GaN Technology for 100-V Operation at L-Band Frequencies
2. A 2.3 kW 80% Efficiency Single GaN Transistor Amplifier for 400.8 MHz Particle Accelerators and UHF Radar Systems
3. An emerging solid-state UHF technology based on 100 VDC GaN for powering particle accelerators
4. Using A 1.3 GHz 20 kW Solid State Amplifier as RF Power Supply for DC-SRF Photo-Injector;wang;Proceedings of ERL2015,0
5. Feedback compensated 10 kW solid-state pulsed power amplifier at 352 MHz for particle accelerators;hoang duc;Rev Sci Instrum,2019
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