Fabrication and characterisation of Si-Si0.7Ge0.3 quantum dot light emitting diodes

Author:

Tang Y.S.,Sotomayor Torres C.M.,Hansson G.V.,Ni W.-X.

Publisher

Institution of Engineering and Technology (IET)

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Reference10 articles.

1. Kirk, W.P.: ‘Nanostructures and mesoscopic systems’, Reed, M.A., (Academic Press San Diego 1992)

2. Optical Properties of Dry-EtchedSi/Si1-xGexHeterostructure Wires

3. Photoluminescence and photoreflectance study of Si/Si0.91Ge0.09 andSi9/Ge6 quantum dots

4. Tang, Y.S., Sotomayor Torres, C.M., Smith, D.W., Kubiak, R.A., Whall, T.E., Parker, E.H.C., Presting, H., and Kibbel, H.: ‘Optical emission from Si-Si1-xGexquantum wires and dots’, Lockwood, D.J., Physics of semiconductors, (World Scientific Singapore 1994), p. 1735–1738

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