Tunneling Electroresistance Effect and Low On-State Resistance-Area Product in Monolayer-In2se3-Based Van Der Waals Ferroelectric Tunnel Junctions

Author:

Yuan Jin,Dai Jian-Qing,Liu Yu-Zhu,Zhao Miao-Wei

Publisher

Elsevier BV

Reference42 articles.

1. Ferroelectric tunnel junctions: Modulations on the potential barrier;Z Wen;Adv. Mater,2020

2. Scalability study on ferroelectric-HfO 2 tunnel junction memory based on non-equilibrium Green function method;F Mo;2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium,2019

3. High-speed switching and giant electroresistance in an epitaxial Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 -based ferroelectric tunnel junction memristor;X Du;ACS Appl. Mater. Interf,2022

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