Effect of the N-Doping Concentration on the Formation of the Wide Carrot Defect in 4h-Sic Homoepitaxial Layer Grown by Trichlorosilane (Tcs) as Silicon Precursor
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference54 articles.
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2. Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices;Hiroyuki Matsunami;Jpn. J. Appl. Phys,2004
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4. SiC Power-Switching Devices-the Second Electronics Revolution;J A Cooper;Proceedings Of The Ieee,2002
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