Angle-resolved photoemission from As-stable GaAs (001) surfaces prepared by MBE

Author:

Larsen P K,Neave J H,Joyce B A

Publisher

IOP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy,General Engineering,Condensed Matter Physics

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1. Fermi level position, Coulomb gap and Dresselhaus splitting in (Ga,Mn)As;Scientific Reports;2016-06-06

2. Interfacial Chemistry of Oxides on III-V Compound Semiconductors;Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs;2010

3. Surface reconstructions on GaAs(001);Surface Science Reports;2008-07

4. Valence band photoemission from in-situ grown GaAs(100)-c(4 × 4);Czechoslovak Journal of Physics;2006-01

5. Arsenic-rich GaAs(0 0 1) surface structure;Surface Science Reports;2005-12

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