Room temperature high-field Hall mobility in n-type silicon
Author:
Publisher
IOP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy,General Engineering,Condensed Matter Physics
Link
http://stacks.iop.org/0022-3719/2/i=12/a=325/pdf
Reference18 articles.
1. Abhängigkeit der Anisotropie der elektrischen Leitfähigkeit des Siliziums vom elektrischen Feld
2. Zur Frage der Beweglichkeit der heißen Elektronen in n-Silizium bei 77 °K
3. Piezoresistance and Piezo-Hall-Effect inn-Type Silicon
4. DRIFT VELOCITY OF HOT ELECTRONS IN n-TYPE GERMANIUM
5. The intervalley transfer mechanism of negative resistivity in bulk semiconductors
Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Hall effect of hot electrons in silicon;Journal of Physics and Chemistry of Solids;1972-01
2. On High-Electric-Field Conductivity inn- Type Silicon;Physical Review B;1971-02-15
3. High-field Hall mobility on n-type silicon including the effect of magnetic field on the carrier distribution function;Journal of Physics C: Solid State Physics;1971-01-01
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