ESTUDIO TEÓRICO DEL FERROMAGNETISMO DE LA SUPERFICIE m-GaN DOPADA CON Mn
Author:
Martínez Oscar,López William,González Alvaro,González Rafael
Abstract
Se realizaron cálculos de primeros principios para estudiar las propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de la superficie m-GaN dopada con manganeso (Mn). Este dopaje generó un momento magnético total de 4 µB debido a la interacción de los estados 2p-N y 3d-Mn. Se encontró que el dopaje de Mn es responsable del 82 % de la magnetización total de la superficie. Además, el dopaje generó cambios estructurales en la superficie y se evidenciaron en las distancias entre las capas atómicas “d12, d23, d34, d45”. La superficie mostró propiedades de metal y semiconductor simultáneamente, estos materiales son llamados “half-metalic”, dependiendo de la polarización del espín. Se determinó la posición sustitucional del dopaje mas estable energéticamente, así mismo se observó que este dopaje generó menos cambios estructurales como lo muestran los porcentajes de cambio en las distancias entre capas atómicas “∆d12, ∆d23, ∆d34, ∆d45”
Publisher
Universidad Nacional de Colombia
Subject
History and Philosophy of Science,Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Geophysics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Cited by
1 articles.
订阅此论文施引文献
订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献