Affiliation:
1. Aus dem Forschungslaboratorium der Siemens-Schuckertwerke AG., Erlangen
Abstract
Es wird der Einfluß einer Elektronenbestrahlung auf p-n-Sperrschichten in Gallium-Arsenid untersucht und der Kurzschlußstrom bzw. die EMK in Abhängigkeit von der Strahlintensität gemessen. Bei Bestrahlung mit 45 kV-Elektronen ist der Kurzschlußstrom um den Faktor 7200 größer als der auffallende Elektronenstrom. Dem entspricht ein mittlerer Energiebedarf pro Ladungsträgerpaar von 6,3 eV. Die bei optimaler Anpassung abgegebene Leistung beträgt 8% der auffallenden Strahlintensität. Als Anwendung wird die Messung der Intensität von Elektronenbeugungs-Diagrammen beschrieben
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,General Physics and Astronomy,Mathematical Physics
Cited by
13 articles.
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