Eine photoelektrische Methode zur gleichzeitigen Bestimmung von Lebensdauer und Beweglichkeit injizierter Stromträger in Halbleitern

Abstract

Mit Hilfe eines schwenkbaren Lichtbündels wird in Germanium ein gleichförmig fortbewegtes Generationsgebiet für zusätzliche Stromträger geschaffen. Die unsymmetrische stationäre Trägerverteilung, die sich um die Einstrahlungsstelle herum ausbildet, liefert an einer Spitzensonde eine proportionale Photospannung, die oszillographisch registriert wird. Die Verteilung wird berechnet, und es werden Verfahren zur Auswertung der erhaltenen Oszillogramme abgeleitet und an Beispielen erläutert. Lebensdauer und Diffusionskonstante lassen sich aus einem Oszillogramm ermitteln. Meßergebnisse an verschieden dotierten einkristallinen Germaniumproben werden mitgeteilt.