Impurity conduction in silicon and effect of uniaxial compression on p-type Si

Author:

Chroboczek J. A.123,Pollak F. H.4,Staunton H. F.56

Affiliation:

1. a Max-Planck-Institut fur Festkörperforschung , Hochfeld-Magnetlabor 166X, 38042 , Grenoble Cedex , France

2. b International Centre for Theoretical Physics , Trieste , Italy

3. e Institute of Physics , Polish Academy of Sciences , Al. Lotnikow 32/46, 02-668 , Warsaw , Poland

4. c Brooklyn College , City University of New York , Brooklyn , New York , 11210 , U.S.A.

5. d Physics Department , Brown University , Providence , Rhode Island , 02912 , U.S.A.

6. f Dupont Experimental Station , Wilmington , Delaware , 19898 , U.S.A.

Publisher

Informa UK Limited

Subject

General Physics and Astronomy,General Chemical Engineering

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