Die TUNNETT-Diode als selbstmischender Oszillator

Author:

Pöbl M.,Claassen M.,Freyer J.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Engineering,Applied Mathematics,Electrical and Electronic Engineering

Reference11 articles.

1. Nishizawa, J.; Watanabe, Y.: High frequency properties of the avalanching negative resistance diode. Sci. Rep. Res. Inst Tohoku Univ. 10 (1958) 91–108

2. Freyer, J.; Pöbl, M.; Harth, W.; Claassen, M.; Gaul, L.; Grothe, H.: 70 GHz GaAs TUNNETT-Diode. Proc. of the 20th EuMC (1990) Budapest 599–604

3. Kidner, C.; Eisele, H.; Haddad, G. I.: Tunnel Injection Transit Time Diodes for W-Band Power Generation. Electron. Lett. 28 (1992) 511–513

4. Pöbl, M.; Freyer, J.: Characterization of W-band CW TUNNETT-diode. Proc. of the 21st EuMC (1991) Stuttgart, 1496–1501

5. Claassen, M.: Chap. 6 in Silicon-Based Millimeter Wave Devices. Eds.: J. F. Luy; P. Russer; M. Claassen. Springer Verlag, erscheint 1993–1994

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