Homoepitaxial and Heteroepitaxial Growth on Step-Free SiC Mesas

Author:

Neudeck P. G.,Powell J. A.

Publisher

Springer Berlin Heidelberg

Reference67 articles.

1. Mat. Sci. Forum;T Kimoto,2000

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3. J.A. Powell, P. Pirouz, and W.J. Choyke: in Semiconductor Interfaces, Microstructures, and Devices: Properties and Applications, ed. by Zhe Chuan Feng (Institute of Physics Publishing, Bristol, United Kingdom, 1993), p. 257

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