Resonant Tunneling of Holes in Strained Layers—SiGe/Si
Author:
Wang Kang L.,Chern C. H.
Reference20 articles.
1. R. Beresford, L. F. Luo, K. F. Longenbach, and W. I. Wang. Appl. Phys. Lett., 56(6), 551, 1990. 2. J. R. Soderstrom, D. H. Chow, T. C. McGill. IEEE Electron Device Letters, 11(1), 27, 1990. 3. F. Capasso, S. Sen, F. Beltram, L. M. Lunardi, A. S. Vengurleker, P. R. Smith, N. J. Shah, R. J. Malik, and A. Y. Cho. IEEE Trans. Electron Devices, 36(10), 2065, 1989. 4. E. E. Mendez, W. I. Wang, B. Ricco, and L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 416, 1985. 5. H. C. Liu. J. Appl. Phys., 63, 2856, 1988.
|
|