Crystal Defects
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Springer International Publishing
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Reference86 articles.
1. Akasaka T, Yamamoto H (2014) Nucleus and spiral growth mechanisms of nitride semiconductors in metalorganic vapor phase epitaxy. Jpn J Appl Phys 53:100201
2. Ammerlaan CAJ, Watkins GD (1972) Electron-paramagnetic-resonance detection of optically induced divacancy alignment in silicon. Phys Rev B5:3988
3. Ayers JE (2007) Heteroepitaxy of semiconductors. CRC Press Taylor & Francis, Boca Raton
4. Bauer S, Rosenauer A, Link P, Kuhn W, Zweck J, Gebhardt W (1993) Misfit dislocations in epitaxial ZnTe/GaAs (001) studied by HRTEM. Ultramicroscopy 51:221
5. Berg A, Brough I, Evans JH, Lorimer G, Peaker AR (1992) Recombination-generation behaviour of decorated defects in silicon. Semicond Sci Technol 7:A263
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